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技术文章

薄膜开关的生长特性

薄膜开关的生长特性受沉积条件的影响,其中主要的因素有沉积速率、基片温度、原子入射方向、基片表面状态及真空度等。
对于不同类型的金属,沉积速率的影响程度是不同的,这是由于真空沉积的金属原子在基片上的迁移率与金属的性质和表面状况有关。即使是同一种金属,在不同的工艺条件下,沉积速率对薄膜结构的影响也不完全一致。一般说来,沉积速率会影响膜层中晶粒的大小与晶粒分布的均匀度以及缺陷等。。
在低沉积速率的情况下,金属原子在基片上迁移的时间比较长,容易到达吸附点位置,或被处于其他吸附点位置上的小岛所俘获而形成粗大的晶粒,使得薄膜的结构粗糙,PET薄膜开关的薄膜不致密。。
同时由于沉积原子到达基片后,后续原子还没有及时到达,因而暴露在外时间比较长,容易受残余气体分子或沉积过程中引人的杂质的污染,以及产生各种缺陷等。。
因此,沉积速率高一些好.高沉积速率可以使薄膜晶粒细小,结构致密,但由于同时凝结的核很多,在能量上核处于能量比较高的状态,所以薄膜开关存在着比较大的内应力,同时缺陷也较多。