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薄膜层一岛结合生长模式

 层状一岛状结合生长(又称Stranski-Krastanoy)模式。在最开始一两个原子层厚度的层状生长之后,生长模式转化为岛状模式。导致这种模式转变的物理机制较复杂,往往在基片和薄膜原子相互作用特别强的情况下,才容易出现这种生长模式。首先在基片表面生长1层一2层单原子层,这种二维结构强烈地受到基片晶格的影响,晶格常数有较大的畸变。然后再在这原子层上吸附入射原子,并以核生长的方式生成小岛,最终形成薄膜。在半导体表面上形成金属薄膜时,常常是这种层一岛生长型,如在Ge的表面蒸发Gd,在Si的表面蒸发Bi,Ag等都属这种类型。