欢迎访问扬州欣达电子有限公司网站! 关于我们 联系我们

专注于薄膜开关,薄膜面板等研发与生产

安全省心,有效控制成本

img

咨询热线:

0514-86859177

img

咨询热线:

13805251384

您的位置:首页 > 新闻资讯 > 技术文章
PRODUCT CENTER
产品中心
行业资讯
企业动态
技术文章
咨询热线

0514-86859177

技术文章

外延薄膜的生长

外延生长的基本参数之一是基片温度,对于基片与薄膜材料之间,都有一个临界外延温度,高于此温度的外延生长是良好的,而低于此温度的外延生长则是不完善的。此外,生长速率R与基片温度T有关。   

如吸附原子在与另一个原子碰撞结合之前能进人稳定的平衡位置,外延便能顺利进行.显然基片温度升高会促进外延生长,它使表面原子具有更多的机会到达平衡位置,使表面扩散和体扩散都增强,结晶过程变得较容易进行.从而促进了单晶薄膜的生长。

基片的晶体结构对于外延薄膜的结构及取向有着十分重要的影响,同质外延时两者的结构是一样的,异质外延时两者的结构也密切相关。异质外延时常用失配度来描述基片结构与薄膜结构的关系。