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    薄膜生长是一个随机过程，利用Monte Carlo算法模拟薄膜的生长过程是研究其生长机理的有效途径。目前，Monte Carlo法模拟薄膜生长主要有3种算法:

    1)指定事件的Kinetic Monte Carlo(KMC)
    这种方法指定几类可能会发生的事件，但不允许其他类型的事件发生。例如规定允许被吸附的原子可以在某个晶面内或沿边缘迁移，不允许其他类型的事件，如跨晶面或跨边界迁移。这种方法的优点是可以准确地知道发生的事件及其概率;缺点是有可能忽略某些重要类型的事件，造成模拟结果不准确。